ponedeljek, 3. junij 2024

1200V N-kanalni SiC močnostni MOSFET-i, v TO247-4 ohišju

Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 je 1200V, N-kanalni MOSFET, skladen z industrijskimi zahtevami s silicijevim karbidom (SiC) v čipu in se nahaja v TO247-4 ohišju. Omogoča visoko gostoto in učinkovitost v industrijskih krmilnikih motorjev, fotovoltaičnih energetskih sistemih, pretvornikih enosmernega toka ter napajalnikih za podatkovne centre in telekomunikacije. Nizka vrednost RDS(ON) teh tran... svet elektronike več »

Več iz medija

POKAŽI VIRE
+
Delo Dnevnik Primorske Siol 24ur RTV Slo N1 Svet24 Žurnal Slovenske novice Reporter Finance Forbes Mladina Ekipa Necenzurirano Preiskovalno Požareport Nova24 SEZNAM VSEH VIROV
+
Pokaži kategorije
+
Domov Slovenija Svet Gospodarstvo Šport Scena Kronika Zanimivosti Tehnologija Kultura Zdravje Prosti čas Drugo